Cambridge GaN Devices und Neways unterzeichnen einen Vertrag über die Entwicklung von Wechselrichterprodukten

Cambridge GaN Devices (CGD), ein Clean-Tech-Halbleiterunternehmen, welches eine Reihe von energieeffizienten Galliumnitrid (GaN)-basierten Leistungsbauelementen entwickelt, die eine nachhaltigere Elektronik ermöglichen, und Neways Electronics (Neways), der internationale Innovator im Bereich der Elektronik für intelligente Mobilität, Halbleiterlösungen und Konnektivität, unterzeichnen auf der Electronica 2022 einen Vertrag über die Entwicklung von hocheffizienten Photovoltaik-Solarwechselrichtern auf Basis der Galliumnitrid-Technologie.

Dr. Giorgia Longobardi, Mitbegründerin und CEO von Cambridge GaN Devices, erklärte: „Neways und CGD ergänzen sich perfekt in ihrem Engagement für eine nachhaltige Zukunft, die auf sauberer Energie basiert. Wir sind der Ansicht, dass dieses Programm für die gemeinsame Entwicklung von Photovoltaikprodukten, die in Bezug auf Effizienz und Leistung weltweit führend sind, den Markt vorantreiben und einen Beitrag zu einer besseren Welt leisten wird.“

Hans Ketelaars, Chief Technology Officer, bei Neways Electronics, erläuterte: „Neways engagiert sich für die Zusammenarbeit mit gleichgesinnten innovativen Unternehmen, um moderne, nachhaltige Energielösungen auf den Markt zu bringen. CGDs hocheffiziente GaN-Bauelemente fügen sich perfekt in unsere Schlüsselanwendungen in den Endmärkten Mobilität, Industrie und Medizin ein.“

Die Partnerschaft, die sich aus der Zusammenarbeit der beiden Unternehmen im Rahmen des von der EU finanzierten GaNext-Projekts ergab, hat bereits Früchte getragen. Auf der Electronica erhalten die Besucher sowohl am Stand von Neways als auch am Stand von CGD (Halle C3, Stand 535) die Möglichkeit, eine Demonstration eines von den beiden Unternehmen gemeinsam entwickelten 3-kW-Photovoltaik-Wechselrichters zu erleben. Mithilfe von acht GaN-Transistoren CGD65A055S2 erzielt dieses transformatorlose, ultrakompakte Design eine Leistungsdichte von 1 kW/L. Mit einem Vin von 150-350VDC, einem Vout von 230VAC und einer Schaltfrequenz von 350kHz weist das Design einen maximalen Wirkungsgrad von 99 auf. 22 % für den Hochsetzsteller.

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