Einsatz der GaNext-Technologie für kompakte und energieeffiziente Energiesysteme

Galliumnitrid (GaN) gilt als vielversprechendes Material, um Silizium in der Leistungselektronik zu ersetzen. Die GaN-Technologie stellt den nächsten logischen Schritt dar, um den aktuellen Trend zur Elektromobilität zu unterstützen, die Energieversorgung nachhaltiger zu gestalten und kompaktere Leistungsanwendungen zu ermöglichen. Leistungssysteme, die mit GaN arbeiten, können leichter, kompakter, wesentlich effizienter und preiswerter sein als solche, die auf Silizium basieren.

Wir waren an der Entwicklung eines intelligenten GaN-Leistungsmoduls beteiligt, bei dem der Regler, die Treiber und die Schutzschaltungen zusammen mit den Leistungsbauteilen verpackt sind. Dieses Modul wurde in einem extrem kompakten Solar-PV-Wechselrichter eingesetzt, der zur Miniaturisierung von Energieanwendungen beiträgt. Der Einsatz dieses Moduls ist das Ergebnis der auf Systemtechnik basierenden Entwicklungsmethodik von Neways, bei der wir die GaN-Technologie in einem intelligenten Leistungsmodul kombiniert haben.

 Partnerschaft

Diese Entwicklung gehört zum internationalen GaNext-Kooperationsprogramm, in dem 13 Unternehmen aus den Niederlanden, Deutschland und dem Vereinigten Königreich zusammenarbeiten, um ein intelligentes Leistungsmodul auf der Grundlage von GaN-Leistungstransistoren zu entwickeln. Konsortialpartner sind Cambridge GaN Devices Ltd., CSA Catapult, Lyra Electronics Ltd., Besi Netherlands BV, Eindhoven University of Technology, Neways Technologies BV, Signify, advICo microelectronics GmbH, Maccon Elektroniksysteme GmbH, Infineon Technologies AG, SUMIDA Components & Modules GmbH, Technische Universität Dortmund und Fraunhofer IMS.