GaNext voor compacte en energie-efficiënte electronica

Gallium Nitride (GaN) is een veelbelovend materiaal om silicium in elektronica applicaties te vervangen. GaN-technologie is de logische stap die de trend voor slimme mobiliteit ondersteunt, energievoorziening duurzamer maakt en compactere vermogenstoepassingen mogelijk maakt. Energiesystemen op basis van GaN kunnen lichter, compacter, aanzienlijk efficiënter en goedkoper zijn dan die op basis van silicium.

We hebben een slimme GaN-power module mede-ontwikkeld waarbij de controller, drivers en beschermingscircuits samen met de stroomapparaten worden samengevoegd. We hebben deze module toegepast in een extreem compacte Solar fotonische omvormer, die een bijdrage levert aan de de miniaturisatie van elektronische toepassingen. Deze applicatie is het resultaat van een ontwerpmethodologie die gebaseerd is op Neways’ systeem engineering, waarin we de GaN-technologie hebben gecombineerd in een slimme powermodule.

Partnerschap

Deze ontwikkeling maakt deel uit van het internationale GaNext-samenwerkingsprogramma. Hierin werken meerdere bedrijven uit Nederland, Duitsland en het Verenigd Koninkrijk samen om een slimme powermodule te ontwikkelen op basis van GaN-energietransistoren. De consortiumpartners zijn Cambridge Gan Devices Ltd., CSA Catapult, Lyra Electronics Ltd., Besi Netherlands BV, TU Eindhoven, Neways Technologies BV, Signify, advICo microelectronics GmbH, Maccon Elektroniksysteme GmbH, Infineon Technologies AG, SUMIDA Components & Modules GmbH, Technische Universität Dortmund en Fraunhofer IMS.